欢迎来到EDA中国!
当前位置:网站首页 >技术专栏 > 模拟/数字

三极管饱和条件

发布时间: 2012-08-09 17:30:19     来源: EDA中国

三极管,饱和,条件
1.在实际工作中,常用Ib*β=V/R作为判断临界饱和的条件。根据Ib*β=V/R算出的Ib值,只是使晶体管进入了初始饱和状态,实际上应该取该值的数倍以上,才能达到真正的饱和;倍数越大,饱和程度就越深。

2.集电极电阻 越大越容易饱和;

3.饱和区的现象就是:二个PN结均正偏,IC不受IB之控制

基极电流达到多少时三极管饱和?

这个值应该是不固定的,它和电源电压,集电极负载、β值,基极电阻,

基极信号大小有关.

另外一个应该注意的问题就是:在Ic增大的时候,hFE会减小,所以我们应该让三极管进入深度饱和Ib〉〉Ic(max)/hFE,Ic(max)是指在假定e、c极短路的情况下的Ic极限,当然这是以牺牲关断速度为代价的。

和时Vb>Vc,但Vb>Vc不一定饱和

一般判断饱和的直接依据还是防大倍数,有的管子Vb>Vc时还能保持相当高的放大倍数

例如:有的管子将Ic/Ib<10定义为饱和

Ic/Ib<1应该属于深饱和了

用三极管可以考虑以下几天:

1)耐压够不够

2)负载电流够不够大

3)速度够不够快(有时却是要慢速)

4)B极控制电流够不够

5)有时可能考虑功率问题

6)有时要考虑漏电流问题(能否“完全”截止)。

7)增益

关键字 : 条件 饱和 三极管 
获取帮助