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Rambus和GLOBALFOUNDRIES展示在28纳米硅晶测试芯片上合作成果

发布时间: 2012-07-30 11:19:17     来源: EDA中国

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Rambus公司(纳斯达克股票代码:RMBS)和GLOBALFOUNDRIES日前宣布两种独立的基于内存架构的硅晶测试芯片的合作成果。第一种测试芯片提供了针对智能手机和平板电脑等移动设备存储器应用的解决方案。第二种测试芯片展示了面向服务器等计算主存储器应用的解决方案。这两款测试芯片均采用GLOBALFOUNDRIES的28纳米超低功率(28nm-SLP)制程,为目前先进的系统单芯片(SoC)发展提供最省电及最高性能的模拟/混合讯号的产品,功耗及性能方面更是超出预期。

Rambus半导体业务部高级副总裁兼总经理Sharon Holt表示:“与GLOBALFOUNDRIES合作,对我们承诺持续创新并推出顶尖的电子产品效能至关重要。GLOBALFOUNDRIES 的28nm-SLP制程最适合用于无可匹敌的功效实现Multi-GHz的数据传输率。”

GLOBALFOUNDRIES设计实现部高级副总裁钱穆吉先生表示:“我们的28nm-SLP技术为SoC设计师提供稳定的制程选项,适用于新一代的多功能消费性产品及移动设备,并确保功耗最佳化,是在市场中取得成功的重要关键。我们很荣幸能与Rambus紧密合作,展示我们拥有的能力与设计实现生态系统,以提供业界最具成本效益且多样化的28nm-SLP制程。”

Rambus的移动设备和服务器存储器架构旨在满足面向具有3D游戏、高清视频流、数据获取和编码等各种应用带动下持续成长的效能需求,同时又能提供无以伦比的功效。随着串流媒体播放器、智能手机、平板电脑等智能移动设备的不断普及,为搭载最新功能组和的装置提供必要频宽的新一代动态随机存取记忆体(DRAM)技术之需求也将与日俱增。

GLOBALFOUNDRIES的28nm-SLP技术专为下一代智能移动设备设计,帮助实现处理速度更快、体积更小、待机功耗更低、电池使用寿命更长的设计。该技术是以块状硅CMOS基板为基础,采用与高K金属栅极(HKMG)相同的“前栅极(Gate First)”方法,并已开始在GLOBALFOUNDRIES位于德国德累斯顿(Dresden)的Fab 1实现了量产。

过去两年里,Rambus和GLOBALFOUNDRIES已合作设计出多款28nm-SLP测试芯片,包括Rambus核心内存架构的移动和服务器应用。这些测试芯片采用了GLOBALFOUNDRIES提供的各种设计实现支持和解决方案,包括流程设计工具(PDKs)、延伸实施服务以及DRC+?可制造性设计技术。此前,在高速物理层(PHY)设计上,GLOBALFOUNDRIES组装支持团队还为Rambus提供了丝焊和倒装芯片等封装方案。

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