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ARM与台积电合作,针对FinFET技术最佳化ARM核心

发布时间: 2012-07-29 16:32:57     来源: EDA中国

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ARM与台积电(TSMC)合作,针对FinFET制程技术最佳化下一代64位元ARM核心。这想必让英特尔感觉颇为自得。

毕竟,这验证了这家晶片巨擘的两位高阶主管──Paul Otellini(欧德宁) 和Brian Krzanich在投资者日(investor day)中所做的演说──英特尔领先最接近的代工竞争厂四年。

事实上,正如我的同事Peter Clarke在他的文章中所说的,台湾的制造商和ARM之间的合作甚至无法预期2015下半年以前能够量产,因此,这个赌注也可能过于乐观。

此外,这个新闻也透露出ARM的伺服器策略矛盾之处。

ARM曾多次表示,2014年将针对伺服器市场推出重量级产品,而且将在两到三年内达到一定程度的市占率。但这次发布的新闻,却无异于对之前所做的声明浇了一大盆冷水。

依照ARM最新发布的新闻,至少要三年半,其采用FinFET技术的64位元V8架构才会就绪,而这将让英特尔有更充裕的时间来发展技术,再度将竞争对手远远抛在后头。

这个新发布的新闻还表示,台积电很可能会在之前曾表示将针对第二代20nm制程之后,重新制定FinFET元件(三闸极, tri-gate)策略。实际上,这份新闻稿读起来就像这家制造商不得不调整其次 20nm 计划,但台积电是否能轻易地跨越仍有待观察。

“毫无疑问,根据目前的记录,英特尔在 FinFET 部署方面将领先所有其他的公司,” Insight64 分析师 Nathan Brookwood 表示。

“他们采用 3D 电晶体的元件出货量已经达到数百万颗之多了,但台积电和 GlobalFoundries 仍坚持在 14nm 节点前不会采用该技术,因此就量产而言,英特尔至少领先了四年。我听到一些消息,目前的情况是这两家公司也打算加快该技术的发展。”

话虽如此,但Brookwood并不相信 ARM 会等待 FinFET 就绪,才开始将其64位元架构导入到伺服器和客户端设备中。这家英国的晶片设计业者已经在去年发布了64位元的ARM V8架构,而 Applied Micro 也已经向一些早期客户推出基于FPGA的V8产品,预估今年稍晚还将推出 40nm ARMv8 SoC,2013年将再发布28nm版本。

“包括苹果(Apple)、高通(Qualcomm)、Marvell和Nvidia在内的ARM架构授权厂商们,如果在很短时间内相继转移到采用28nm的64位元架构,我想我一点都不会感到惊讶,”Brookwood说。

他接着表示,在他看来, ARM 与台积电此次发布的声明,并不意味着64位元ARM晶片必须等待 FinFET 技术,但它确实需要几年的时间来开发实体IP,特别是台积电和 GlobalFoundries 在发展 FinFET 时仍将面临诸多设计约束。

对台积电而言,将 FinFET 技术推进到 14nm 节点是一项惊人之举。毕竟,晶圆厂要制造 FinFET 元件以前,首先要正确掌握high-k金属闸极技术,但台积电目前仍在奋力与英特尔和 Globalfoundries 竞争。

“就如同英特尔在本月初 Semicon West 上的演讲所说的,每一世代的新制程技术,必然要以之前的技术为基础,”Brookwood表示。

再确实不过了。现在,英特尔在FinFET发展竞赛中领先所有竞争对手,也再度印证了这个说法。

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